Wird heute noch von Rambus gesprochen, ist in aller Regel damit der Direct Rambus gemeint, der tatsächlich aber nur ein Nachfolgemodell von Rambus ist. Weil es heute nur noch Direct Rambus gibt und die technischen Unterschiede zu den Vorversionen so minimal sind, dass es sich nicht lohnt sie einzeln zu erläutern, möchten wir darauf verzichten. Trotzdem geben wir den Hinweis, dass es Rambus seit 1995 gibt, Concurrent Rambus seit 1997 und Direct Rambus ab 1999. Rambus ist ein eingetragener Markenname der Rambus Inc., die selbst keine Chips herstellt, sondern lediglich die Lizenzen zur Herstellung vergibt.

Rambus-Chips sind DRAM-Chips, weshalb sie auch als RDRAM bezeichnet werden. Sie wurden 1995 zum ersten mal in Grafik-Workstations eingesetzt und waren dem damals noch nicht einmal marktreifen SDRAM-Konkurrenten um Welten voraus. So wurden zu dieser Zeit, als EDO mit 66MHz Bustakt noch Standard war, bei Rambus bereits Taktraten von zunächst 600MHz, später 800MHz erreicht. Speicheroptimierungen in Geschwindigkeit und Fehlerkorrekturverfahren wie Pipelining, Bursting, Interleaving und ECC gehörten bei Rambus von Anfang an zum Standard. Der Hauptunterschied zwischen Rambus und allen anderen bis heute entwickelten RAMs ist, dass nur bei Rambus die Signalleitungen für Zeilen und Spalten voneinander getrennt sind. Dies ermöglicht einen direkten Zugriff auf die Daten, während bei herkömmlichen und bis heute verwendeten Verfahren (selbst bei DDR3 und QDR), jedes mal eine Übertragsungsrate für das zweite Signal verloren geht.

Der Rambus ist von Anfang an ein Dual-Channel-System gewesen, weshalb immer zwei Module zusammengehören. Falls nur ein Modul eingesetzt werden soll, muss ein weiteres sogenanntes "Dummy-Modul" eingesetzt werden. Dieses Modul leistet nichts, verursacht aber trotzdem Kosten. Es ist daher sinnvoller, direkt ein RDRAM-Modul einzubauen, das zwar teurerer, dafür aber auch leistungsfähig ist .

Schon zu Beginn wurden mit RDRAM Bandbreiten von 1,6GB bzw 3,2GB pro Sekunde erreicht, also bessere Werte, als einige Module von heute. Dies ermöglicht die RSL-Technologie, die eine Übertragungsrate von 800MHz überhaupt erst ermöglicht. Der nur 16-Bit breite Datenbus ist das offensichtliche Manko und die Schwachstelle der Rambus-Technologie. Die Busbreite lässt sich jedoch - und so kam es dann auch - leichter verbessern, als die Übertragungsrate. Wobei noch angemerkt sei, dass natürlich eine Verbesserung in beiden Punkten wünschenswert wäre. Wie bereits erwähnt wurde die Busbreite vergrößert und zwar auf 32Bit. Die Technologie hat sich allerdings noch nicht durchgesetzt und es ist fraglich ob sie es jemals wird.

Offensichtlich spricht aber alles für Rambus, warum also wird er immer weniger eingesetzt? Dafür kann es zwei Gründe geben. Zum einen ist Rambus deutlich teurer als SDRAM, bei gleichen Speicherkapazitäten zwei bis zweieinhalb mal so teuer. Das liegt weniger daran, dass für bessere Leistung auch mehr verlangt wird, sondern dass die Herstellung wesentlich teurer ist. Zum anderen sind die neuen DDR2-Module rechnerisch schneller als die Rambus-Module. Allerdings ist es äußerst fraglich, ob das in der Praxis auch so zutrifft. Letzten Endes liegt es daran, was für ein System eingesetzt wird und welche Software benutzt wird. Wir empfehlen Ihnen daher sich nicht von platten Leistungstabellen blenden zu lassen, sondern sich von Experten individuell beraten zu lassen.

Glossar

• CAS

  CAS steht für Column Address Strobe und dient zur Adressierung von Datenzellen in DRAMs. Die Signallogik funktioniert nach einem Multiplexing-System. Ist das CAS aktiv, bedeutet dies, dass ein Spaltenbit gesendet wird.

• CL oder CAS-Latency

  CL steht für CAS-Latency und gibt die Anzahl der Zyklen an, die zwischen dem Anlegen des CAS-Signals und der Lieferung der Daten verstreichen. Genauere Informationen finden Sie in der Dokumentation der Geschwindigkeitsmesseinheiten.

• Flip Flop

  Flip Flops sind elektronische Schaltkreise, die zwei stabile Zustände annehmen und speichern können. Durch logische UND-Schaltungen werden die Informationen langfristig gespeichert. Weil es keine Kondensatoren gibt, verfallen die Bits nicht, sondern sind innerhalb des Flip Flops isoliert. Die Technik kommt im Speicherbereich bei SRAMs zum Einsatz.

• IC oder Integrated Circuit

  IC steht für Integrated Circuit, also integrierter Schaltkreis. Er ist im logischen Sinne ein Objekt von Halbleiterbauteilen, fasst also mehrere dieser Komponenten, wie z.B. Kondensatoren und Transistoren zusammen. ICs kommen auch außerhalb von Speicher vor, hier jedoch werden damit die Chipschaltkreise bezeichnet.

• Multiplexing

  Multiplexing ist ein Ausdruck, den es auch außerhalb des Segments Speicher gibt. Dabei wird ein Verfahren beschrieben, bei dem Informationen auf nur einer Leitung hintereinander weggeschickt werden. Übertragen auf den Speicher bedeutet das, dass Zeilen- und Spaltenadressen getrennt voneinander geschickt werden. Mit Ausnahme von RDRAMs, setzen alle DRAMs Multiplexing ein. Da Rambus eine getrennt Adresslogik für die Speicherzellen einsetzt, kann bei dieser Technik darauf verzichtet werden. Der Vorteil ist, dass weniger Zeit für die Adressierung verloren geht. Dafür wird aber auch doppelt so viel Platz für die Adressbahnen benötigt.

• Page

  Prinzipiell ist Page nur ein Synonym für die Row, also eine Zeile in der Speicherbank. Der Begriff Page kommt vor allem im Zusammenhang mit den Datenbits vor. Handelt es sich aber um Adressbits, spricht man von der Row. Der Unterschied ist daher nur ein assoziativer. Verwendet wird der Begriff auch in den Namen der Chiptechnologien FPM (Fast Page Mode) und EDO (Extended Data Out, auch Hyper Page Mode genannt).

• Page Size

  Page Size gibt die Länge einer Page an. Da eine Page mit einer Zeile aus einer Tabelle verglichen werden kann, entspricht die Page Size genau der Anzahl an Spalten. Gleichzeitig gibt sie die Bitzahl für eine Page an.

• RAS

  RAS steht für Row Address Strobe und dient zur Adressierung von Datenzellen in DRAMs. Die Signallogik funktioniert nach einem Multiplexing-System. Ist das RAS aktiv, bedeutet dies, dass ein Spaltenbit gesendet wird.

• RAS-Precharge-Time

  RAS-Precharge-Time gibt die Anzahl der Zyklen an, die die Sense Amps dafür benötigen um die CAS-Leitungen vorzuladen. Genauere Informationen finden Sie in der Dokumentation der Geschwindigkeitsmesseinheiten.

• RAS-to-CAS-Delay

  Die RAS-to-CAS-Verzögerung gibt die Anzahl der Zyklen an, die zwischen dem Anlegen des RAS-Signals und der Freigabe für die CAS-Bitadressen verstreichen. Genauere Informationen finden Sie in der Dokumentation der Geschwindigkeitsmesseinheiten.

• Latch

  Der Latch ist ein Flip Flop am I/O-Port des Speichers, das die Daten zur Abholung bereithält. Änderungen am Porteingang des Latches wirken sich unmittelbar auch am Ausgang aus, weshalb er im Zweifelsfall auch als Durchlaufposten agieren kann. Er dient allgemein also als Ablage für selektierte Informationen.

• I/O-Block

  Der I/O-Block ist ein Block am I/O-Port, also an den Kontaktpins, in dem einzelne Bits zu Datenwörtern zusammengesetzt werden. Hier werden neue Daten aufgenommen und andere werden ausgegeben. Bei manchen Speichertechniken muss der I/O-Block deaktiviert sein, d.h. es dürfen keine Daten anliegen, wenn eine neue Anfrage gestellt werden soll.